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絵で見るZnO酸化物TFT製造プロセス2017年版

次世代TFTの本命、ZnO系酸化物TFTの製造プロセスCD-ROMがブラッシュアップ!!


★次世代TFTの本命とされるZnO系酸化物TFT製造プロセスをCD-ROMで完全図解
★酸化物TFTの特徴と有力用途を解説
★基本プロセスから次世代プロセスまでをフルカバー
★デバイス構造図、プロセスフロー図をすべて3D化

★ボリュームはブラウザページに換算すると計105ファイル(A4用紙換算で250頁相当)
★プロセスフロー図は計460

★ファイルはインターネットエクスプローラーなどのブラウザ形式なのでどんなPCでもOK
★トップページから各論へ自在にアクセス可能


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MAIN CONTENT


■ZnO系酸化物TFTの分類と構造

・トップゲート型(コンベンショナルタイプ、セルフアラインタイプ)
・ボトムゲート型(エッチングストッパー型、バックチャネル型、透明TFT)
・デュアルゲート型

■トップゲート型酸化物TFTの製造プロセス(総論)
・5枚マスクプロセス
・4枚マスクプロセス

■セルフアライン構造トップゲート型酸化物TFTの製造プロセス(総論)
)
 ・6枚マスクプロセス

■バックチャネルタイプボトムゲート型酸化物TFTの製造プロセス(総論)
・スタンダードプロセス(5枚マスク)
・4枚マスクプロセス
・n+ IGZO挿入型デバイスの5枚マスクプロセス

■エッチングストッパータイプボトムゲート型酸化物TFTの製造プロセス(総論)
 ・6枚マスクプロセス

■ボトムゲート型透明酸化物TFTの製造プロセス(総論)
・4枚マスクプロセス

■デュアルゲート型透明酸化物TFTの製造プロセス(総論)
)
 ・7枚マスクプロセス

■製造プロセス各論
●ソース/ドレイン形成プロセス
●酸化物半導体層形成プロセス(IGZO、AZTO、ZnO、HfIZO)

塗布型酸化物半導体層形成プロセス
n+ IGZOスパッタリング成膜プロセス
●ゲート絶縁膜形成プロセス
●ゲート電極形成プロセス(真空成膜無機膜を用いる場合、塗布型材料を用いる場合)

●ソース/ドレイン領域形成プロセス
●アニール処理プロセス
●透明画素電極形成プロセス
(真空成膜透明画素電極を用いる場合、反射画素電極を用いる場合、塗布型材料を用いる場合)
●パッシベーション&コンタクトホール形成プロセス

■フレキシブル基板製酸化物TFT作製における注意点
・加工されたフレキシブルサブストレートを用いる場合
・元基板にTFT&デバイスを作製した後、プラスチックフィルムに転写する場合
・支持基板に樹脂膜を塗布・硬化後、TFT&デバイスを作製し、支持基板をリリースして樹脂膜を基板に用いる場合


▲IGZO酸化物半導体層の構造


▲各種TFTの比較とZnO系酸化物TFTのアプリケーション例

▲デバイス構造


▲プロセスフローサンプル@


▲プロセスフローサンプルA


ステラ・コーポレーションならではのオリジナルCD-ROM

CD-ROM
発行:2017年1月13日
定価:19,980円(消費税込み)
本体価格:18,500円
 ※価格には送料が含まれています。
※海外への発送については別途送料がかかります。

販売元:ステラ・コーポレーション
  〒273-0024 千葉県船橋市海神町南1-1544-7
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FAX:047-432-5032
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